宜普電源轉換公司宣布擴大其產品系列,推出高速、高效電晶體EPC8000器件系列。
產品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力。這些全新電晶體具備幾個全新特性,讓工程師可以利用高效氮化鎵場效應電晶體設計創新產品。這些特性包括減少QGD,從而減少暫態開關損耗、改善米勒比、柵極及漏極電路之間使用正交電流以減少共源電感(CSI),以及獨立的閘極回路連接,也是可以減少共源電感。
宜普為功率電晶體開拓全新領域,第三代器件具備在低於納秒內從關斷過渡至導通的性能,使器件可用於10 MHz頻率以上的硬開關應用。即使在設計工作頻率10MHz以上時,這些產品也具有非常高的小信號射頻性能,並且在低吉赫茲頻率範圍內具有高增益,因此這些器件是射頻應用中極具競爭力的一個選擇。
宜普公司創辦人及首席執行長Alex Lidow表示,這個創新氮化鎵場效應電晶體系列,帶領宜普公司及氮化鎵電晶體技術走進全新領域,它們可以推動MOSFET器件所不能實現的應用,使得氮化鎵場效應電晶體可同時於功率半導體及射頻應用中發揮其卓越性能。
產品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力。這些全新電晶體具備幾個全新特性,讓工程師可以利用高效氮化鎵場效應電晶體設計創新產品。這些特性包括減少QGD,從而減少暫態開關損耗、改善米勒比、柵極及漏極電路之間使用正交電流以減少共源電感(CSI),以及獨立的閘極回路連接,也是可以減少共源電感。
受惠於低功率、細小及高頻EPC8000器件系列的應用,包括工作在數MHz範圍的硬開關功率轉換器、射頻功率放大器的波峰追蹤,以及替移動器件充電的無線電源傳送系統。
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