小米新款穿戴式裝置採用DIALOG藍牙智慧IC

高整合電源管理、AC/DC、固態照明、與藍牙智慧無線技術供應商Dialog Semiconductor plc(德商戴樂格半導體)(FWB：DLG)日前宣布，大陸高成長電子設備廠商之一的小米公司已在其最新發布的Mi Band健身感應手環中採用了Dialog的藍牙超低功耗SmartBond SoC。

Dialog的DA14580讓小米Mi Band僅需充電一次，即可達到長達30天的續航時間，與其最有力的競爭對手相比，為2倍之多，提供現今消費者一個效能極高的連接解決方案。

自2010年創建並推出基於Android平台的MIUI作業系統以來，小米公司設計並開發了一系列創新的消費性電子產品，包含智慧型手機、智慧電視、機上盒、平板電腦、路由器以及最新推出的穿戴式裝置等等。

Mi Band是由隸屬小米的華米科技(Huami)所研發製造。小米公司在近期知名度迅速飆升，其公司市值已提升超過2倍，成為大陸成長最快速的消費性電子設備廠商之一。新推出的Mi Band手環是一款極具競爭力的產品，能夠替代全球競爭廠商那些價格更高、但功能較弱且效能較低的健身感應手環。

Dialog Semiconductor資深副總裁兼連接、汽車與工業事業部總經理Sean McGrath表示，「小米將DA14580 SmartBond解決方案整合至其新推出的Mi Band手環，這項決定對於我們所重視的大陸市場業務而言是一項重大突破。」

DA14580可為小米產品帶來真正的競爭優勢，因為選用Dialog藍牙SoC的工程師再也無需因為電池容量問題在產品設計上做出妥協：他們能夠打造出更加輕巧、更具吸引力的產品，除了具備業界領導級的效能之外，這些產品也能夠滿足使用者對於性能的期待，他們能信賴小米Mi Band手環，使用它監測自身的運動狀態、卡路里攝入量和睡眠模式，同時也免去需頻繁充電的麻煩。

穿戴式裝置有望能引領科技領域的新一波成長趨勢。據IDC研究預測，穿戴式裝置的出貨量將從2014年的1,900萬件成長至2018年的1.12億件。隨著消費性電子產業持續地採用Dialog DA14580等高效能解決方案，像小米Mi Band這樣的穿戴式裝置對使用者的吸引力將會大幅增強。Dialog的DA14580是全球尺寸最小、功耗最低、整合度最高的藍牙智慧SoC。

Dialog的SmartBond是一個高度整合的解決方案，其易用性和成本效益獲得了業界的認可。與目前其它的藍牙智慧方案相比，DA14580所需要的外部元件較少，而且還可在不使用外接微控制器的情況下，操作fully hosted applications。

透過一個多功能的軟體開發套件以及對最新藍牙4.1標準的支援，設計人員能為HID、保健與健身穿戴式裝置、醫療、近距感測和智慧家庭等快速增長的市場區隔開發各類尖端應用。此外，憑藉世界一流的高效能，並兼顧產品設計品質的情況下，SmartBond是提供廣大物聯網裝置的最佳選擇。

萊迪思簡化光纖乙太網路系統管理介面

低功耗、小尺寸客製化解決方案市場的領導者萊迪思半導體公司，推出新的IEEE 802.3 Management Data Input Output(MDIO)介面控制器參考設計，幫助工程師快速實現速率高達100Gb/s的光纖乙太網路設計。

RD1194參考設計採用全球最小、每I/O成本最低的可編程設計平台—MachXO3產品系列或最新的ECP5系列。ECP5擁有業界最高的功能密度，在小至10mm x 10mm的封裝中整合高達85k LUT以及SERDES。

小尺寸、低功耗的MachXO3和ECP5裝置是實現諸如CFP2/4模組等Multi gigabit乙太網路應用所需的I/O擴展、橋接以及連結的最佳選擇。

設計者可採用本參考設計實現一個簡單的Wishbone使用者邏輯介面，讓使用者能夠進入PHY暫存器。其支援MDIO IEEE 802.3標準條款45／22主／從控制器，並擁有透過輸入端進行前置訊號模式選擇功能。

關於萊迪思半導體

萊迪思半導體是當今瞬息萬變的連結世界中低功耗、小尺寸、低成本客製化解決方案市場的領導者。無論是為消費電子市場實現更智慧的終端設備，為工業市場實現智慧的自動化應用，還是為通信市場實現各種互連，全球的電子產品製造商都可透過採用萊迪思的解決方案獲得最快的產品上市時間、產品創新以及極具競爭力的產品差異化特性。

晶心推出適合客戶打造物聯網、穿戴式裝置

32位元CPU的嵌入式產品正以驚人的速度蓬勃發展，襲捲整個消費性市場。亞洲首家以原創性32位元微處理器IP與系統晶片設計平台為主要產品的晶心科技(Andes Technology)，近期推出AndeShape AE210P適合客戶打造物聯網、穿戴式裝置低功耗MCU的平台IP，搭配適合MCU應用的AndesCore N7、N8、N9及N10。

其靈活的可配置性及優異的效能，可應用於當今MCU領域的各種熱門應用，如物聯網、穿戴式裝置、智慧感測裝置、醫療電子、智慧型家電、觸控面板、無線充電及電源管理IC等等。

晶心AndeShape AE210P平台提供靈活且多樣化的配置，客戶可以選取最適合的週邊IP配置，再進一步做最佳化。以追求最佳SoC成本而言，AE210P的匯流排結構可以簡化為一個APB匯流排加基本的週邊IP，其最小閘數僅11K。而當追求最高性能時，AE210P的配置還可再增加一個AHB匯流排矩陣 (bus matrix)。

AE210P可配置的週邊IP包括DMA Controller、PWM、Watchdog Timer、Real Time Clock、UART Controller、SPI Controller、I2C Controller及支援AHB/Master/Slave及APB匯流排相關的控制器。所有的匯流排控制器、橋接控制器和AE210P的週邊功能模組的設計都以減少時脈延遲、邏輯閘數及功耗為目的，以達到最佳化的系統效能及成本。

經由AE210P所提供的接口，客戶可以輕易地插入自己的模組(modules)，並且只需要驗證自己的設計。這大大地提升了產品開發設計的效率和質量，並縮短產品上市的時間。

晶心科技技術長兼資深研發副總經理蘇泓萌博士表示，AE210P提供一個完整驗證的整合式平台，涵蓋大部分MCU都需要使用到的功能。選擇適當的配置，及TSMC 90LP的標準元件庫，在高效能的應用，其速度可達200MHz；而功耗在50MHz low active mode可小至98uW(82uA)，適於客戶使用在物聯網或穿戴式裝置要求極低功耗和長時間電池壽命的應用中。

同時客戶可以很容易的達到預定效能的目標，並且加速完成開發的工作。AE210P對各種MCU常用的NOR Flash存取加速的支援就是一個最佳的例子。除了SPI可讓程式直接從Serial Flash執行，透過晶心現有的FlashFetch功能也能加速從Parallel Flash執行。使用者只要將自己的模組整合於其中，就可以完成SoC的設計，大幅縮短了開發的時間。

而對那些需要高度最佳化的SoC設計師，AE210P也可讓他們針對各別IP做配置(configure)。對於使用8位元或16位元MCU的廠商，AE210P的發展平台可以幫助他們快速地切進32位元MCU的領域。AE210P與AndesCoreCPU IP結合可以搭配AndeSight IDE的整合型發展環境及BSP所提供的工具鏈、範例程式、開源碼的FreeRTOS即時作業系統。

此外AE210P是一個軟核IP的平台，可適用於任何半導體製程，還可在晶心的FPGA發展板Orca上進行評估或發展軟體程式。整體而言，晶心科技針對32位元MCU所提供的軟硬體及支援兩線ICE除錯系統的整合解決方案，不論在MCU廠商開發上或推廣給系統廠開發，均能從效能及成本上幫助客戶創造出最具競爭力的產品。

英特爾公布最新微架構與14奈米製程技術細節

英特爾公布最新微架構細節，此架構已搭配英特爾14奈米製程進行最佳化。結合這些技術將提供性能卓越且更省電的功能以滿足各種類型的運算需求，並支援種類繁多的產品，涵蓋從雲端運算基礎架構與物聯網到個人與行動運算的應用。

英特爾副總裁暨產品開發部總經理Rani Borkar表示，英特爾結合設計專業以及最佳製程的整合模式，為客戶以及消費者帶來更佳效能與更低的功耗。這個嶄新的微架構不僅是重大的技術成就，更展現英特爾由外而內的設計理念的重要性並能夠滿足客戶的各種需求。

英特爾技術與製造事業群資深院士暨製程架構與整合部門總監Mark Bohr表示，英特爾的14奈米技術採用第二代三閘極電晶體，提供領先業界的效能、功耗、密度、以及電晶體的單位成本優勢。

杜邦微電路材料事業部推新Solamet太陽導電漿料

杜邦微電路材料事業部(以下簡稱杜邦)推出兩項新正面銀導電漿料產品，杜邦Solamet PV18H和PV18J，為其頂尖的導電漿料產品陣容再添生力軍。這兩項產品可為太陽能電池製造業者提供更高的效率和獲利能力。

杜邦微電路材料事業部太陽能產品全球行銷經理Peter Brenner表示，杜邦 Solamet PV18x系列可提供更高的效率卻僅需使用較少的材料。持續推陳出新並擴充此系列產品內容，最新的兩項產品展現一系列出色的技術性能以滿足不同客戶的生產條件需求。杜邦十分興奮向全球客戶介紹這兩項產品，並得到許多客戶迅速採用這些新產品後的熱烈反應。

先進的Solamet PV18x系列產品透過提高太陽能電池的轉換效率，大幅改進了模組的功率輸出，這歸功於杜邦獨有的碲科技(Tellurium technology)專利，以更好的接觸電阻實現了增強型輕摻雜射極(Enhanced Lightly Doped Emitters)，大幅提升電池效率超過0.5%。

相較於目前業界使用的前一代杜邦導電漿料， Solamet PV18H和PV18J應用在多晶電池上可以將效率提高0.15%，並可實現35微米的優異細線印刷能力。另外，使用上述新材料在特定印刷條件下可減少材料耗量達30%，進一步為製造業者降低成本。

此外，Solamet PV18H更可應用於單晶電池上，優異的接觸電阻可實現增強型輕摻雜射極，極大化輸出功率。Solamet PV18J亦展現優異的黏著性能，即便用於更細的主柵線印刷也有優異的拉力表現、更好的焊接性以及更寬廣的操作溫度，也提高了加工性。

透過持續投資於研究、開發和智慧財產權，杜邦 Solamet太陽能導電漿料在過去12年來已使太陽能電池效率增加了一倍，並持續推動產業進步。

杜邦是太陽能源產業領先的材料供應商，其廣泛的材料組合設計專門用於改善模組的電力輸出、可靠的使用年限和投資回報。杜邦微電路材料事業部(DuPont Microcircuit Materials)在厚膜漿料的開發、製造、銷售及支援方面擁有超過40年的悠久經驗，產品應用層面遍及各個電子相關產業，包括顯示器、光電、汽車、生物醫學、工業、軍事和通信等市場。

新一代覆晶技術解決方案 NCP底部填充材料

台北訊

為了擴展其市場領先的底部填充劑產品系列，漢高電子集團開發了一種新型非導電底部填充材料—LOCTITE ECCOBOND NCP 5209。LOCTITE ECCOBOND NCP 5209提供全面的底部填充保護，克服了傳統底部填充材料在小間距覆晶結構所面臨的難題。

「對更高功能小型化設備的需求，促使封裝專業人員轉向細間距覆晶設計。」漢高電子集團全球半導體液體產品經理Matt Hayward解釋說。「為了實現這個轉變，新型覆晶凸塊技術(如銅柱)的應用越來越廣泛，這是由於銅柱技術更適合與超細間距並具有更好的連接性能。事實情況是，只有NCP才能夠提供此類緊湊空間所要求的保護。」

對於間距小於100μm、間隙小於40μm的產品，傳統的底部填充劑難以勝任。由於毛細作用受間隙距離和間隙內真空作用的驅動，新型的​​覆晶結構(如銅柱)限制了傳統底部填充材料在高密度空間內的流動能力，從而降低了可靠性。為了克服這些問題，許多封裝專業人員轉向利用NCP材料進行熱壓黏接。

LOCTITE ECCOBOND NCP 5209預先塗於基板上，一步實現凸塊保護和焊接。這種新型底部填充劑為銅柱凸塊和OSP基板設計，為間距小於100μm、間隙小於40μm的產品提供了出色的凸塊加固和保護。 FP5209具有良好點點膠性能，在70℃下具有長達兩小時的工作壽命，LOCTITE ECCOBOND NCP 5209提供了動態製造環境所需要的靈活性。

就可靠性而言，LOCTITE ECCOBOND NCP 5209同樣令人印象深刻，測試結果證明了其長期應用穩定性。該材料已經通過了MSL3測試，能夠耐受1,000個週期的熱循環，在150℃高溫下能夠存儲1,000小時。

Hayward表示：「漢高在高級底部填充劑開發方面處於無與倫比的領導地位」。他見證了漢高公司數10年來在半導體和表面貼裝工藝用底部填充劑配製方面所獲得的成功。

Hayward也說道：「我們明白不同應用之間的細微差異，了解獲取成功對每種和定制底部填充劑化學組成的要求。LOCTITE ECCOBOND NCP 5209是在10餘年的NCP專業設計知識基礎上開發的。我們知道銅柱覆晶的保護複雜性，使用這種材料即可解決問題。」

欲了解漢高電子集團和最新底部填充劑材料，可參考：http://ift.tt/1tg3fkY，或來信漢高電子部：doug.dixon@us.henkel.com。

新一代覆晶技術解決方案 NCP底部填充材料

台北訊

為了擴展其市場領先的底部填充劑產品系列，漢高電子集團開發了一種新型非導電底部填充材料—LOCTITE ECCOBOND NCP 5209。LOCTITE ECCOBOND NCP 5209提供全面的底部填充保護，克服了傳統底部填充材料在小間距覆晶結構所面臨的難題。

「對更高功能小型化設備的需求，促使封裝專業人員轉向細間距覆晶設計。」漢高電子集團全球半導體液體產品經理Matt Hayward解釋說。「為了實現這個轉變，新型覆晶凸塊技術(如銅柱)的應用越來越廣泛，這是由於銅柱技術更適合與超細間距並具有更好的連接性能。事實情況是，只有NCP才能夠提供此類緊湊空間所要求的保護。」

對於間距小於100μm、間隙小於40μm的產品，傳統的底部填充劑難以勝任。由於毛細作用受間隙距離和間隙內真空作用的驅動，新型的​​覆晶結構(如銅柱)限制了傳統底部填充材料在高密度空間內的流動能力，從而降低了可靠性。為了克服這些問題，許多封裝專業人員轉向利用NCP材料進行熱壓黏接。

LOCTITE ECCOBOND NCP 5209預先塗於基板上，一步實現凸塊保護和焊接。這種新型底部填充劑為銅柱凸塊和OSP基板設計，為間距小於100μm、間隙小於40μm的產品提供了出色的凸塊加固和保護。 FP5209具有良好點點膠性能，在70℃下具有長達兩小時的工作壽命，LOCTITE ECCOBOND NCP 5209提供了動態製造環境所需要的靈活性。

就可靠性而言，LOCTITE ECCOBOND NCP 5209同樣令人印象深刻，測試結果證明了其長期應用穩定性。該材料已經通過了MSL3測試，能夠耐受1,000個週期的熱循環，在150℃高溫下能夠存儲1,000小時。

Hayward表示：「漢高在高級底部填充劑開發方面處於無與倫比的領導地位」。他見證了漢高公司數10年來在半導體和表面貼裝工藝用底部填充劑配製方面所獲得的成功。

Hayward也說道：「我們明白不同應用之間的細微差異，了解獲取成功對每種和定制底部填充劑化學組成的要求。LOCTITE ECCOBOND NCP 5209是在10餘年的NCP專業設計知識基礎上開發的。我們知道銅柱覆晶的保護複雜性，使用這種材料即可解決問題。」

欲了解漢高電子集團和最新底部填充劑材料，可參考：http://ift.tt/1tg3fkY，或來信漢高電子部：doug.dixon@us.henkel.com。