宜普將於功率研討會展示氮化鎵場效應電晶體

宜普電源轉換公司將於第三屆世界無線供電行業峰會及第十九屆IIC China功率管理及功率半導體研討會，討論關於最新一代氮化鎵(eGaN)技術。

宜普電源轉換公司應用工程副總裁Johan Strydom博士，將於8月26日上海舉行的第三屆世界無線供電行業峰會展示氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，由於其具備優越特性如具有低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，因此作為高度諧振並符合Rezence(A4WP)標準的無線電源傳送系統的理想器件，它可以提高該應用的效率。並對採用MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的轉換器在峰值功率、負載變化及負載調製性能等各方面進行比較。

宜普電源轉換公司亞太區FAE總監鄭正一，將於9月4日深圳舉行的第十九屆IIC China功率管理及功率半導體研討會，發表「電源管理及功率半導體：第四代氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)」。

最新一代氮化鎵場效應電晶體為業界提高電源轉換的性能基準。由於全新第四代氮化鎵器件系列在主要開關品質因數方面取得重大增益，因此在性能上可進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。

宜普將展示的應用範例包括取得93.5%效率的12 V轉至1.2 V、50 A的負載點(POL)轉換器， 以及取得超過98%效率的48 V轉至12 V、30 A的非隔離型直流—直流中間總線轉換器。