Kyma授權GT使用等離子體汽相澱積技術

GT Advanced Technologies日前宣佈，已經向Kyma Technologies收購其等離子體汽相澱積(PVD)技術及專門知識的獨家使用權。

Kyma所開發的等離子體汽相澱積柱狀納米技術(PVDNC)可以在氮化鎵沉澱前，在晶圓上沉積一層高品質的生長型初始層氮化鋁。GT計劃將等離子體汽相澱積工具商業化，以配合其正在研發的氫化物氣相外延(HVPE)系統，該組合將令LED生產商可以在圖案化或平面晶圓上，用更低的成本生產更高產量的氮化鎵範本。GT已經有一個可以用於大量生產的原型工具，結合Kyma的等離子體汽相澱積柱狀納米技術，預期到2015年上半年即可提供量產工具。

GT的總裁兼首席執行官Tom Gutierrez表示，Kyma創新的「柱狀納米」PVDNC技術為GT不斷擴張的LED生產基地帶來了重要的補充。GT的目標是提供一系列的解決方案，以提升LED的生產品質及降低成本。將GT的PVD AlN工具與正在研發的HVPE系統相結合，預計可讓LED生產商以比現行生產技術更低的成本生產出開盒即用晶圓。

Kyma的總裁兼首席執行官Keith Evans表示，經過多年創新及生產AIN範本，深信柱狀納米AlN薄膜將為LED行業帶來實實在在的好處。目前將氮化鎵沉積在開盒即用的晶圓時，需要使用較為昂貴而且進程緩慢的MOCVD工具。透過結合PVD與HVPE這兩個流程，將可以生產低成本的氮化鎵範本，廠商將能夠利用現有的LED生產線擴產；另外，由於需要的MOCVD工具更少，此舉也可以降低其資本開支。