2014年3月31日 星期一

英飛凌推出OptiMOSTM快速二極體

英飛凌科技推出全新OptiMOSTM FD 200V和250V,讓中電壓產品組合更為完備。

最新一代的Power MOSFET專為本體二極體硬式整流最佳化所設計,不僅提高產品耐用度、降低電壓尖波,還能降低逆向回復損失,進而提高系統可靠度,尤其是在電信系統、工業用電源供應器、D類音頻放大器、馬達控制(48-110V系統)及DC/AC變頻器之類的硬式切換應用方面。


OptiMOS FD系列擁有最佳化的逆向回復電荷(Qrr),符合最高的效能標準。OptiMOS FD 200V和250V的Qrr比標準的OptiMOS 200V和 250V降低40%,進而可減少電壓尖波,並省下緩震電路,大幅提升系統可靠度。


英飛凌DC/DC系統部門資深協理Richard Kuncic表示:「英飛凌再次將200V和250V電壓等級的水平向上提升,設立新基準正是讓我們持續前進的動力。隨著OptiMOS FD系列的推出,我們將持續提升切換效能。這個最新一代的Power MOSFET將協助我們的客戶省下工程設計上的成本及時間,尤其是在硬式整流等應用方面。」


最新OptiMOS FD提升了硬式整流的耐用度,可在需求更嚴格的情況下使用,dV/dt、dl/dt和電流密度都優於目前市場上的200V和250V 技術,因此使用更方便,也可簡化設計流程。OptiMOS FD還比其他同類裝置減少45%的導通電阻(RDS(on))和65%的優值係數(FOM),能提供最高的效率及功率密度。


OptiMOS FD 200V產品組合提供RDS(on) 11.7mΩ的D2PAK封裝,及RDS(on) 12mΩ的TO-220封裝。OptiMOS FD 250V產品組合則提供 RDS(on) 22mΩ的TO-220封裝。






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